描述：

基板兼容性

尺寸范圍:支持 φ125 至 200mm(5 英寸至 8 英寸)的晶圓或其他片狀基材。

超薄晶圓處理:可穩(wěn)定處理厚度低至 50μm 的超薄硅片,配備自動(dòng)傳輸系統(tǒng)以確保高精度定位。

工藝能力

多配方存儲(chǔ):內(nèi)置最多 5 種獨(dú)立工藝配方,支持快速切換不同薄膜沉積需求(如金屬層、阻擋層)。

濺射蝕刻功能:集成 ISM(離子束輔助濺射)技術(shù),可在沉積前對(duì)基板表面進(jìn)行預(yù)清洗或蝕刻,提升薄膜附著力。

水冷機(jī)制:采用 ESC(靜電卡盤)高效水冷系統(tǒng),確保基板溫度均勻性和工藝穩(wěn)定性。

真空與氣體系統(tǒng)

真空性能:雖未明確給出極限真空度,但 SRH 系列通常配備渦輪分子泵和機(jī)械泵組合,可實(shí)現(xiàn)高真空環(huán)境(如 10?? Pa 級(jí)別),滿足精密沉積需求。

氣體控制:支持氬氣(Ar)等惰性氣體輸入,氣壓調(diào)節(jié)精度可滿足金屬濺射的典型要求(如 1.5 Pa)。

電源與沉積參數(shù)

電源類型:可能兼容直流(DC)和射頻(RF)電源,支持金屬靶材(如 Cu、Al)和絕緣材料(如 SiO?)的濺射。

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