描述：

晶圓處理能力

設(shè)備原生支持150 毫米晶圓,并可通過(guò)定制化配置兼容更小尺寸基板(如 MEMS 器件中的 8 英寸以下晶圓)。這一設(shè)計(jì)使其適用于化合物半導(dǎo)體、功率器件及部分先進(jìn)邏輯芯片的制程,例如淺溝槽隔離(STI)和多晶硅柵極刻蝕。

等離子體生成技術(shù)

采用TCP(Transformer Coupled Plasma)架構(gòu),通過(guò)獨(dú)立的 13.56 MHz 射頻電源驅(qū)動(dòng),實(shí)現(xiàn)高密度等離子體的穩(wěn)定生成。其集成的偏置電源可精確控制離子能量,支持高深寬比結(jié)構(gòu)(如 3D NAND 存儲(chǔ)中的深孔刻蝕)的輪廓優(yōu)化。相較于傳統(tǒng) ICP 技術(shù),TCP 在均勻性和等離子體密度控制上更具優(yōu)勢(shì),尤其適合對(duì)邊緣粗糙度敏感的先進(jìn)制程。

熱管理系統(tǒng)

標(biāo)配背面氦氣冷卻,標(biāo)準(zhǔn)操作溫度為 50°C,通過(guò)工藝調(diào)整可擴(kuò)展至 - 40°C 至 80°C 的寬溫范圍。這種設(shè)計(jì)不僅支持高溫下的硅刻蝕,還能兼容低溫工藝(如某些金屬刻蝕),有效抑制副反應(yīng)并提升材料選擇性。

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