描述：

應用

6430的功能使其同樣適于在測試實 驗室的研究工作和復雜元件的評估,結 合其它源測量儀器或SMU用于在較高電平 上進行低電流、高電阻或高靈敏度的半 導體測量。6430的低噪聲和漂移性能也非 常適合高阻性納米線和其它高阻納米材 料的研究。

高速數(shù)據(jù)處理

6430能以超過2000個讀數(shù)/秒的速度 讀至其內(nèi)存緩沖器。IEEE-488總線輸出能 每秒發(fā)送達75個源/測量讀數(shù)至外部計算 機控制器,包括通過/失效指示。

6430能提供達2.2W的4象限源, 以及低至亞fA和微伏電平的測量 靈敏度。在高達20V,它能測量從 1pA量程(僅0.4fA峰峰值噪聲)至 100mA量程的電流?？商峁?00mV至 200V的電壓范圍。電流和電壓量程 設置定義了源或阱電壓或電流的 最大值。

典型應用:

半導體測量

基于FET元件中的柵 極漏電或溝道漏電會在 MOSFET、FET、模擬開關和許 多其它電路中產(chǎn)生誤差。通 過允許研究人員測量極低電 平的電流和電壓,6430能幫 助他們了解這些元件的設計 局限以及研究替代器件的結 構或材料。

SET研究

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