描述：

典型應(yīng)用:可用于金屬干法刻蝕,SiO2/SiNx/SiC刻蝕,可自行調(diào)試工藝。 二、原理:通入反應(yīng)氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解,產(chǎn)生的具有強化學(xué)活性的等離子體在電場的加速作用下移動到樣品表面,對樣品表面既進行化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性氣體,又有一定的物理刻蝕作用。因為等離子體源與射頻加速源分離,所以等離子體密度可以更高,加速能力也可以加強,以獲得更高的刻蝕速率,以及更好的各向異性刻蝕。另外,由于該系統(tǒng)使用了Cl基和F基的刻蝕氣體,因此該ICP系統(tǒng)適合于金屬材料與氮化硅氧化硅進行刻蝕。

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