描述：

離子輔助沉積(IAD)

搭載射頻離子源(如 17cm/23cm 型號(hào)),產(chǎn)生高能離子流轟擊基板表面。

作用:轟擊去除基板表面吸附物,提升膜層附著力; 細(xì)化膜層晶粒,降低內(nèi)應(yīng)力,提高致密性與光學(xué)性能(如低吸收、高透過(guò)率)。

光馳 OTFC/SPOC 系列均采用此工藝,適配多層復(fù)雜膜系。

薄膜沉積與均勻性控制

氣相膜料粒子在真空下無(wú)碰撞擴(kuò)散至基板表面,凝結(jié)成膜。

基板采用行星式 / 鐘罩式旋轉(zhuǎn)(轉(zhuǎn)速 10–30rpm 可調(diào)),配合多點(diǎn)石英晶振膜厚計(jì)(6 點(diǎn)探頭),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)厚度控制與全片均勻性。

光學(xué)膜厚監(jiān)控儀(如 HOM2)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)膜層光學(xué)特性,閉環(huán)調(diào)整工藝參數(shù)。

基板加熱與工藝適配

基板加熱溫度最高可達(dá)350℃,可根據(jù)材料需求調(diào)整,優(yōu)化膜層結(jié)晶度與附著力。

針對(duì)塑料基板(PMMA/PC),采用低溫工藝(OTFC-L 系列),避免基板變形。

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