描述：

加工范圍

最大晶圓尺寸:φ300mm(兼容 200mm 晶圓)。

切割方式:脈沖激光消融(Ablation),支持非熱處理工藝,可實現(xiàn) GaAs 全切割、DBG 后的 DAF 切割及低 k 材料開槽等復雜應用。

最小切割道寬:≤50μm,適合高密度芯片分離。

運動控制精度

X 軸(工作臺):

加工范圍:310mm

θ 軸(旋轉工作臺):

最大旋轉角度:380°,支持多角度切割。

激光系統(tǒng)

激光類型:固體脈沖激光(波長 355nm)。

激光功率:標準配置為 15W 或 18W(不同配置可能存在差異)。

加工性能

切割精度:±5μm(定位誤差),切口平整度高,熱變形小。

切割速度:最高 300mm/s(根據(jù)材料厚度調整)。

兼容材料:硅、GaAs、藍寶石、陶瓷、低 k 材料等。

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