描述：

核心優(yōu)勢:高真空度+高溫工藝,適配高精度AR/光學(xué)鍍膜需求

一、核心技術(shù)亮點(diǎn)

- 搭載磁流體密封中心旋轉(zhuǎn)基板架,基板轉(zhuǎn)速最高30rpm可調(diào),保障薄膜鍍層重復(fù)性與均勻性,鍍膜品質(zhì)穩(wěn)定可靠

- 優(yōu)化排氣系統(tǒng)與升溫能力,鍍膜時間顯著縮短,大幅提升生產(chǎn)效率

- 可選配光控儀,支持高精度AR鍍膜多層膜工藝,滿足高端光學(xué)器件鍍膜需求

二、核心規(guī)格參數(shù)

真空室

- 材質(zhì):SUS304不銹鋼

- 尺寸:Φ1300mm×1500mm(高)

基板系統(tǒng)

- 基板架:4片式工作架(可選Φ1200mm規(guī)格)

- 轉(zhuǎn)速范圍:最大30rpm(可調(diào))

檢測與蒸發(fā)系統(tǒng)

- 膜厚檢測:晶振式膜厚計XTC/3+6點(diǎn)式水晶傳感器,檢測精準(zhǔn)度高

- 蒸發(fā)源:配備1臺電子槍,蒸發(fā)工藝穩(wěn)定

核心性能指標(biāo)

- 極限真空:≤7.0 × 10?? Pa,真空環(huán)境純凈度高

- 抽氣速度:大氣壓→3.0×10?3Pa 僅需10分鐘,抽氣效率優(yōu)異

- 基板加熱:最高350℃,支持高溫鍍膜工藝拓展

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