描述：

一、核心配置亮點(diǎn)

金屬模式濺射工藝,搭配高反應(yīng)等離子體源,可制備低吸收高品質(zhì)光學(xué)薄膜

全自動(dòng)上下片基板搬送系統(tǒng),量產(chǎn)效率高、省人工支持4種靶材,陰極結(jié)構(gòu)可替換,工藝拓展性強(qiáng)雙旋轉(zhuǎn)滾筒陰極,放電穩(wěn)定、膜厚均勻性優(yōu)異ICP電感耦合等離子體反應(yīng)源,成膜質(zhì)量接近進(jìn)口新機(jī)水平

二、真空腔體規(guī)格

裝片室:304不銹鋼,500×800×2890mm工藝室:304不銹鋼,Φ1650×1200mm

三、基板裝載與夾具

單批次裝載:13–22片旋轉(zhuǎn)滾筒:Φ1500mm,轉(zhuǎn)速10–100rpm 連續(xù)可調(diào)

四、真空與動(dòng)力系統(tǒng)

真空配置:粗抽泵 + 分子泵極限壓力: 裝片室:10Pa工藝室:≤5.0×10??Pa抽氣速度:裝片室:大氣→1.0×10?1Pa ≤20min 工藝室:大氣→5.0×10?3Pa ≤40min基板加熱:最高150℃(可選配)

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