描述：

晶圓兼容性

支持 300mm(12 英寸)晶圓量產(chǎn),部分配置可能兼容 200mm(8 英寸)晶圓。采用全自動傳輸系統(tǒng),實(shí)現(xiàn) Cassette-to-Cassette 無人化操作,每小時可處理 40 片以上晶圓。

等離子體技術(shù)

搭載增強(qiáng)型電感耦合等離子體(ICP)系統(tǒng),等離子體密度范圍達(dá) 1011-1013 cm?3,支持高深寬比結(jié)構(gòu)(如 3D NAND 深溝)的垂直刻蝕。采用三頻射頻電源(2MHz/13.56MHz/27MHz),可獨(dú)立調(diào)控離子能量與密度,提升復(fù)雜結(jié)構(gòu)的刻蝕精度。

刻蝕均勻性

整片晶圓刻蝕均勻性誤差控制在≤1.0%(1σ),適用于邏輯芯片、存儲芯片等對一致性要求極高的場景。

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