描述：

溫度控制:覆蓋 300-1450°C 寬溫區(qū),例如:

CCS 3×2" FT 系統(tǒng)支持 1450°C 超高溫工藝,適用于 AlN 等高溫材料;

Aix 2600G3 常規(guī)溫度范圍為 300-1200°C,滿足 GaN、GaAs 等主流材料需求。

壓力調(diào)節(jié):反應(yīng)室壓力通常在 20-1000mbar 之間,如:

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所設(shè)備支持 20-1000mbar 精確控制;

行星式反應(yīng)器通過壓力優(yōu)化實現(xiàn)氣體分布均勻性。

晶圓兼容性:

小尺寸實驗型:3×2 英寸或 1×4 英寸;

量產(chǎn)型:Aix 2800G4-TM 支持 15×4 英寸或 8×6 英寸配置;

先進平臺:G10-GaN 可處理 150/200mm 晶圓,適配 Si/SiC/Sapphire 等襯底。

氣體管理:

多源配置:典型配置包括 4 路載氣(H?、N?等)和 9 路 MO 源(如 TMGa、TMAl);

專利技術(shù):如 Gas Flow Inversion(GFI)技術(shù)消除邊緣效應(yīng),實現(xiàn) ±1% 波長均勻性。

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