描述：

一、光學(xué)與成像系統(tǒng)

光源與波長(zhǎng)

采用 i-line 準(zhǔn)分子激光(365nm),屬于深紫外(DUV)光源的一種,適合光刻 0.35μm 及以上的特征尺寸。

分辨率與數(shù)值孔徑(NA)

典型分辨率為 0.35μm(部分資料提到 0.4μm,可能因測(cè)試條件或版本差異)。

最大數(shù)值孔徑(NA)為 0.63,通過(guò)高 NA 光學(xué)系統(tǒng)提升成像對(duì)比度和細(xì)節(jié)還原能力。

曝光范圍

標(biāo)準(zhǔn)曝光場(chǎng)為 22mm × 22mm,支持 5 英寸或 6 英寸掩模版(Reticle),可通過(guò)縮小倍率(5:1)實(shí)現(xiàn)高精度圖案轉(zhuǎn)移。

部分配置支持非對(duì)稱曝光場(chǎng)(如 17.9mm × 25.2mm),適配特殊掩模版設(shè)計(jì)。

二、對(duì)準(zhǔn)與精度控制

對(duì)準(zhǔn)精度

LSA(激光掃描對(duì)準(zhǔn)):60nm

FIA(熒光圖像對(duì)準(zhǔn)):70nm

部分資料顯示更優(yōu)指標(biāo)(如 3σ ≤ 40nm),可能涉及設(shè)備狀態(tài)或升級(jí)配置。

套刻精度(Overlay)

多層圖案疊加精度可達(dá) ≤55nm,滿足成熟制程對(duì)多晶硅、金屬互連等關(guān)鍵層的套刻要求。

焦點(diǎn)控制

焦點(diǎn)穩(wěn)定性為 3σ ≤ 0.09μm,通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)焦系統(tǒng)補(bǔ)償晶圓表面起伏。

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