描述：

最小可檢測缺陷尺寸

系統(tǒng)采用深紫外(DUV)光源和優(yōu)化光學架構(gòu),可檢測 40nm 以下的細微缺陷,尤其擅長識別影響 28nm 及更小制程節(jié)點的關(guān)鍵缺陷,如拋光痕跡、晶體凹坑、薄膜空隙等。不同應(yīng)用場景下的具體靈敏度有所差異:

基礎(chǔ)配置:支持 23nm 缺陷檢測(對應(yīng) 2Xnm-3Xnm 設(shè)計節(jié)點)。

極限能力:部分資料提到可檢測 15nm 以下的納米級缺陷,可能通過特殊光學配置或算法優(yōu)化實現(xiàn)。

缺陷類型覆蓋范圍

可檢測多種缺陷類型,包括但不限于:

表面缺陷:顆粒(0.1μm 及以上)、劃痕、滑移線、堆垛層錯。

薄膜缺陷:沉積不均、腐蝕坑、空洞(如外延層氣穴)。

潛在可靠性缺陷:通過自動分類功能識別可能導致芯片失效的隱患(如亞表面損傷)。

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