描述：

加工范圍

最大工件尺寸:φ200mm(8 英寸)晶圓,兼容 φ150mm 及以下尺寸。

晶圓厚度范圍:支持 50-500μm 常規(guī)厚度,特殊工藝可處理更薄或更厚晶圓(如案例中 0.38mm 厚的碳化硅晶圓)。

切割類型:支持硅、碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、藍(lán)寶石等材料的劃片切割,適用于 IC 封裝前的芯片分離、MEMS 傳感器結(jié)構(gòu)加工等。

切割精度與質(zhì)量

定位精度:X-Y 軸定位精度≤±0.003mm/210mm 行程,重復(fù)定位精度≤±0.001mm。

切割縫寬度:最小可達(dá) 60μm(約兩根頭發(fā)絲寬度),具體取決于刀片規(guī)格(如案例中使用 100μm 刀片)。

背面崩裂控制:采用同步主軸技術(shù)(Synchro Spindle?)提升徑向剛性,結(jié)合階梯式切割工藝,可將背崩控制在 40-50μm 以內(nèi)。

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