描述：

新柯隆SHINCRON濺射鍍膜機RAS-1100C真空鍍膜機的參數(shù)如下?:

1.?真空室數(shù)量?:雙室,包含1個樣片室和1個濺射室?1。

2.?極限真空?:

o樣片室:≤2.0×10^-3 Pa

o濺射室:≤8.0×10^-7 Pa?1。

3.?真空室漏氣率?:≤5.0×10^-8 Pa·L/s?1。

4.?抽氣速率?:系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣,濺射室30分鐘可達到5.0×10^-4 Pa?1。

5.?真空室保壓?:系統(tǒng)停泵關(guān)機12小時后真空度≤5 Pa?1。

6.?濺射材料?:各種金屬、合金薄膜、非金屬薄膜、化合物薄膜?1。

7.?濺射靶?:Φ76.2mm標準磁場磁控濺射靶3只,聚焦模式上置共安裝,自上向下濺射成膜?1。

8.?濺射不均勻性?:≤±5%(Φ4英寸范圍內(nèi))?1。

9.?濺射室規(guī)格?:Φ450mm×380mm?1。

10.?工件臺旋轉(zhuǎn)?:可自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~30rpm范圍內(nèi)可調(diào)?1。

11.?樣品加熱?:紅外加熱器,加熱溫度600℃,PID自動測溫、控溫,控溫精度±1%?1。

12.?載片量?:最大Φ100mm(4英寸)1片?1。

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