描述：

晶圓尺寸:支持 300mm(12 英寸)晶圓,兼容 8 英寸晶圓。

溫度范圍:室溫至 1200°C 可調(diào),部分配置可擴(kuò)展至 1300°C。

升降溫速率:

極速升溫:室溫到 1200°C 僅需數(shù)秒,部分型號可達(dá)每秒 100°C的升降溫速率。

快速冷卻:采用水冷基座或氣體吹掃技術(shù),冷卻時(shí)間縮短至毫秒級。

溫度控制精度:

單點(diǎn)控溫精度:±1°C 以內(nèi)。

晶圓均勻性:8 英寸晶圓表面溫度差異≤±2°C(3σ),12 英寸晶圓≤±2.5°C。

結(jié)深控制:離子注入退火后結(jié)深精度達(dá) ±3nm,適合 FinFET、3D NAND 等先進(jìn)制程。

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