描述：

溫度范圍:覆蓋半導(dǎo)體工藝常用區(qū)間,如500–1200°C,支持高溫激活退火(部分型號(hào)可達(dá) 1900°C)。

溫度均勻性:通過多點(diǎn)控溫和智能算法,爐內(nèi)溫差可控制在**±1–3°C**。

爐膛尺寸:適配 8–12 英寸晶圓,爐膛有效空間可能為φ200–300mm(直徑)×300–600mm(高度)。

加熱功率:根據(jù)爐膛大小和溫度需求,功率范圍可能在50–200kW之間,采用硅碳棒或鉬合金加熱元件。

控制系統(tǒng):支持 16 段以上程序控溫,具備自整定 PID 或人工智能算法,可存儲(chǔ)多組工藝配方。

此貼2027-08-18之前有效，聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說明是從處理網(wǎng)看到的。