描述：

溫度范圍

最高溫度可達 1200°C(參考),適用于硅基、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等半導體材料的高溫退火工藝。支持從室溫到目標溫度的快速升溫,典型升溫速率為 150°C / 秒(),降溫速度可達 200°C / 分鐘(從 1000°C 降至 300°C)。

溫度控制精度

采用多區(qū)閉環(huán) PID 控制系統(tǒng),溫度控制精度可達 ±0.5°C(),均勻性≤ 0.5% 設(shè)定溫度(),有效降低圖案加載效應(Pattern Loading Effect)對工藝一致性的影響。

工藝環(huán)境

真空能力:支持低至 10 mTorr(約 1.33 Pa)的真空環(huán)境(),可搭配真空泵組實現(xiàn)快速抽氣。

氣體兼容性:兼容氮氣(N?)、氬氣(Ar)等惰性氣體,部分型號支持氧氣(O?)或混合氣體(如 N?+O?),滿足氧化、氮化等工藝需求()。

氣氛控制:配備質(zhì)量流量控制器(MFC),氣體流量調(diào)節(jié)精度達 ±1%,可存儲 100 個工藝程序,每個程序支持 100 段分步控制()。

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