描述：

加速電壓范圍

常規(guī)模式:0.3–30 kV(覆蓋低電壓至高電壓應(yīng)用)。

低電壓優(yōu)化:支持 0.8 kV 操作,適用于敏感材料或低損傷分析。

電壓穩(wěn)定性:≤1 ppm/min(峰峰值),確保長(zhǎng)期測(cè)量精度。

分辨率

二次電子(SE)模式:

30 kV 高真空下:3.0 nm。

0.8 kV 時(shí):2.0 nm(CD-SEM 模式下的典型值)。

背散射電子(BSE)模式:

30 kV 低真空下:4.0 nm。

低電壓性能:1 kV 時(shí)分辨率達(dá) 0.7 nm,適用于半導(dǎo)體器件的精細(xì)觀察。

放大倍數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)范圍:5×–300,000×,覆蓋從宏觀到原子級(jí)的觀察需求。

測(cè)量模式:40,000×–300,000×,支持高精度尺寸測(cè)量。

電子槍類型

熱場(chǎng)發(fā)射電子槍(TFEG):結(jié)合高亮度和穩(wěn)定性,支持納米級(jí)分辨率及大束流應(yīng)用。

兼容 ADSP-HV80 高壓電源:提供寬范圍輸出(0.01–30 kV),優(yōu)化圖像穩(wěn)定性和分辨率。

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