描述：

1. 分辨率與成像性能

二次電子(SE)成像:

30kV 高真空模式下分辨率達(dá)3.0nm,低電壓優(yōu)化模式(0.8kV)下為2.0nm(CD-SEM 典型值)。

1kV 低電壓性能下分辨率提升至0.7nm,適合半導(dǎo)體器件的精細(xì)觀察。

背散射電子(BSE)成像:

30kV 低真空模式下分辨率為4.0nm。

特殊配置:

部分型號(hào)(如 S-9380 II)采用熱場發(fā)射電子槍(TFEG),結(jié)合高亮度和穩(wěn)定性,支持納米級分辨率及大束流應(yīng)用,分辨率可達(dá)1.2nm(20kV 時(shí))。

2. 加速電壓與電子光學(xué)系統(tǒng)

電壓范圍:

常規(guī)模式:0.3–30kV,覆蓋低電壓至高電壓應(yīng)用。

低電壓優(yōu)化:支持0.8kV操作,適用于敏感材料或低損傷分析。

穩(wěn)定性:

電壓穩(wěn)定性≤1 ppm/min(峰峰值),確保長期測量精度。

電子槍類型:

標(biāo)配熱場發(fā)射電子槍(TFEG),兼容 ADSP-HV80 高壓電源,提供寬范圍輸出(0.01–30kV)。

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