描述：

電子槍

采用優(yōu)化的冷場發(fā)射(CFE)電子槍,在低電壓下仍能保持高亮度和低像差,適合納米級表面結(jié)構(gòu)觀察。

分辨率

二次電子像(SEI)分辨率:

15 kV 加速電壓下:0.6–0.7 nm(部分文獻標(biāo)注為 0.7 nm)。

1 kV 加速電壓下:0.7–0.9 nm(不同測試條件下略有差異)。

減速模式(減速電壓低至 0.01 kV):可實現(xiàn)超低電壓下的高分辨率觀察,例如 1 kV 時分辨率達 0.9 nm。

加速電壓范圍

常規(guī)模式:0.5–30 kV(覆蓋從低電壓表面觀察到高電壓穿透分析的需求)。

減速模式:著陸電壓可低至0.01 kV(10 V),適合對電子束敏感的樣品(如高分子、生物材料)。

放大倍數(shù)

最大放大倍數(shù):2,000,000×(相比前代提升 100%),支持納米級細節(jié)觀察。

常規(guī)范圍:20× 至 2,000,000×,覆蓋從宏觀到微觀的全尺度分析。

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