描述：

分辨率

低電壓模式:1.0 nm(1 kV 加速電壓),適用于脆弱材料或表面敏感樣品的無損觀察。

高電壓模式:0.8 nm(30 kV 加速電壓),可實現(xiàn)納米級精細結(jié)構(gòu)成像。

CD 測量分辨率:5 nm(50 ?),在 0.8 kV 加速電壓下測試(參考分辨率專用標樣)。

放大倍數(shù)

SEM 圖像:5× 至 100 萬倍,覆蓋從宏觀到原子級的觀察需求。

光學顯微鏡輔助:約 110 倍,用于快速定位和樣品預(yù)觀察。

加速電壓范圍

常規(guī)模式:500 V 至 1.3 kV(10 V 步進調(diào)節(jié)),適配不同導(dǎo)電性和厚度的樣品。

特殊模式:支持高達 30 kV 的高壓成像(需額外配置)。

CD 測量能力

測量范圍:0.1 μm 至 10 μm,覆蓋半導(dǎo)體工藝中從納米線到微米級結(jié)構(gòu)的檢測。

重復(fù)性:3σ≤5 nm 或 ±1%(閾值法,取較大值),滿足先進制程的高精度量測需求。

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