韓國CMT-16B雙面拋光機研磨機
?一、核心性能與參數(shù)體系? ?精度控制?
平面度公差:0.001μm(硅片/光學(xué)玻璃) 厚度極限:0.05mm(φ125mm工件需特殊工裝)
晶圓加工:300mm晶圓TTV≤0.6μm(需搭配高精度修盤系統(tǒng)) ?機械架構(gòu)? 研磨盤:φ1150mm金剛石涂層盤(可選配樹脂修正器)
驅(qū)動系統(tǒng):四臺7.5Kw獨立電機(上/下盤轉(zhuǎn)速比可調(diào)1:1~1:3) 壓力反饋:電-氣比例閥閉環(huán)控制(動態(tài)響應(yīng)時間≤0.5s)
?二、創(chuàng)新技術(shù)亮點? 模塊 技術(shù)方案 效益提升 ?工藝適配? 游星輪正反轉(zhuǎn)+干濕模式切換(粗磨→精拋無縫銜接) 碳化硅加工效率提高30% ?安全系統(tǒng)? 斷氣自動鎖緊+液壓緩降(抗沖擊壓力≥15MPa) 設(shè)備故障率降低至0.2次/年 ?耗材管理? 三級過濾(磁性分離+離心沉淀+納米濾膜) 磨粉循環(huán)利用率達(dá)85%
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