描述：

加工能力

晶圓尺寸:支持 φ300mm(12 英寸)晶圓,兼容 φ200mm(8 英寸)及以下尺寸。

材料兼容性:硅晶圓、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導(dǎo)體,支持厚度 50-1000μm 的晶圓減薄。

超薄研磨:可實(shí)現(xiàn) 100μm 以下的精密減薄,厚度控制精度達(dá) ±1μm,晶圓面內(nèi)厚度均勻性≤2μm。

機(jī)械結(jié)構(gòu)與性能

主軸配置:雙主軸(Z1 和 Z2),功率 4.8kW,轉(zhuǎn)速范圍 1,000-4,000 min?1,支持高精度研磨。

卡盤(pán)工作臺(tái):3 個(gè)卡盤(pán)(Chuck A/B/C),支持多片晶圓連續(xù)加工,提升效率。

設(shè)備尺寸:1,400mm(寬)×3,190mm(深)×1,800mm(高),重量較前代 DFG860 減少 1.0 噸(降低 20%),輕量化設(shè)計(jì)兼顧穩(wěn)定性。

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