描述：

1. 測試能力與并行處理

并行測試規(guī)模:支持同時測試32 顆 NOR 閃存芯片或64 顆 NAND 閃存芯片,并可處理128 顆串行非易失性存儲器(如 EEPROM)。這種高密度并行測試能力顯著提升了量產效率,尤其適合 NAND 閃存的快速驗證。

測試速度:針對不同容量的芯片,測試耗時差異較大。例如,幾 MB 的閃存芯片可在數(shù)秒內完成測試,而 64MB 的芯片需約1 分鐘。

2. 支持的內存類型

閃存類型:兼容 NOR、NAND 閃存,包括 MLC、TLC、QLC 等多種架構,并支持 eMMC、UFS 等嵌入式存儲方案。

其他存儲類型:覆蓋 Mask-ROM、EPROM、EEPROM 等只讀 / 可擦寫存儲器,以及 DRAM、SDRAM、DDR I/II、SRAM 等隨機存取存儲器。

特殊場景適配:支持 “Strip” 或 “Panel” 測試技術,可對機械連接在引線框架上的芯片進行電氣隔離測試,適用于晶圓級和成品封裝測試。

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