描述：

最小檢測(cè)尺寸:

在高靈敏度(HS)模式下,斜入射(DWO 通道)可檢測(cè)小至0.060 μm(60 nm)的顆粒缺陷,垂直入射(DWN 通道)靈敏度為0.083 μm。對(duì)于光滑表面(如裸硅),這一指標(biāo)可穩(wěn)定達(dá)到**±0.05 μm**的精度。

缺陷類型覆蓋:

支持顆粒、劃痕、霧度(Haze)、晶體原生凹坑(COP)等多種缺陷類型檢測(cè),尤其擅長(zhǎng)識(shí)別透明薄膜下的隱藏缺陷(如氧化層下顆粒)。

光學(xué)配置:

采用 ** 三光束照明(TBI)** 技術(shù),包含四個(gè)獨(dú)立通道:

DWO(暗場(chǎng)寬通道斜入射):優(yōu)化光滑表面顆粒檢測(cè)

DNO(暗場(chǎng)窄通道斜入射):增強(qiáng)微小缺陷對(duì)比度

DWN(暗場(chǎng)寬通道垂直入射):適用于機(jī)械劃痕與滑移線檢測(cè)

DNN(暗場(chǎng)窄通道垂直入射):高精度表面形貌分析

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