描述：

靈敏度

標準模式:可檢測硅襯底上尺寸>37nm 的缺陷,適用于≥4x nm 制程節(jié)點(如 45nm、28nm)的工藝監(jiān)控。

高靈敏度模式:擴展研發(fā)應(yīng)用,支持多晶硅、鎢、銅等材料的檢測,部分配置下可識別小至 30nm 的缺陷。

金屬檢測:通過擴展薄膜靈敏度(XFS)光罩升級選項,可優(yōu)化對銅(Cu)、鎢(W)等金屬層缺陷的檢測。

掃描速度與吞吐量

高吞吐量(HT)模式:300mm 晶圓檢測速度達 90 片 / 小時(wph),適用于量產(chǎn)環(huán)境。

高靈敏度(HS)模式:300mm 晶圓檢測速度為 22 片 / 小時,適用于精細缺陷分析。

雙激光束技術(shù):12 英寸晶圓全表面檢測時間<45 秒,產(chǎn)能可達 240 片 / 小時(部分配置)。

缺陷分類與定位

智能算法:內(nèi)置 AI 模型自動區(qū)分顆粒類型(如金屬污染物、硅屑),并過濾晶圓邊緣非功能性缺陷,誤報率顯著降低。

坐標精度:95% 缺陷定位精度≤15μm(高靈敏度模式)或≤50μm(高吞吐量模式),支持 SEM 復(fù)檢快速定位根源問題。

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