描述：

1. 檢測能力

最小缺陷靈敏度:

對硅襯底及薄膜的檢測極限為 37 nm,適用于 ≥65 nm 設(shè)計規(guī)則的成熟工藝節(jié)點,同時支持射頻、汽車電子、SiC、GaN 等新興技術(shù)。在特殊配置下(如高靈敏度模式),可擴展至更小缺陷的研發(fā)場景。

缺陷類型覆蓋:

可檢測顆粒、機械劃痕、滑移線、殘留物、表面微粗糙度變化(通過 SURFimage? 數(shù)據(jù)通道)等。例如,雙掃描模式(斜入射光照檢測顆粒,垂直入射光照檢測劃痕)可自動合并結(jié)果。

2. 晶圓兼容性

尺寸范圍:

標準支持 200 mm(8 英寸)和 300 mm(12 英寸)晶圓,部分資料提到可兼容 150 mm(6 英寸),但需確認具體配置。

厚度與翹曲度:

可處理厚度達 1500 μm、翹曲度達 75 μm 的 200 mm 襯底。

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