描述：

加速電壓

G2 支持100kV 和 50kV 雙模式,相比 G1 的單一 100kV 配置,能更靈活地適配不同材料和工藝需求。例如,50kV 模式適用于對電子穿透深度敏感的薄型材料或多層結(jié)構(gòu)。

分辨率與最小線寬

高分辨率模式:采用 1.8nm 最小束斑,可實現(xiàn)8nm 最小線寬,滿足納米級器件(如量子點、DFB 激光器光柵)的加工需求。

高速模式:通過 5.1nm 束斑優(yōu)化,在保證 12nm 線寬的同時大幅提升效率,適用于中小批量生產(chǎn)。

掃描速度與產(chǎn)能

系統(tǒng)掃描頻率達(dá)125MHz(業(yè)界最高水平),相比前代提升 1.25-2.5 倍。例如,在 1000μm×1000μm 場中,單次掃描時間縮短至 8ns / 點,顯著減少空閑時間。

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