描述：

晶圓兼容性

支持 4 英寸、6 英寸及 8 英寸(200mm)晶圓,其中 8 英寸配置可實(shí)現(xiàn)每小時(shí)處理 20-50 片晶圓的產(chǎn)能。設(shè)備采用多站式設(shè)計(jì),晶圓通過 5 個(gè)獨(dú)立沉積站循環(huán)處理,顯著提升薄膜均勻性(面內(nèi)均勻性≤±1%)和工藝重復(fù)性。

沉積材料體系

介電薄膜:氧化硅(SiO?)、氮化硅(Si?N?)、氮氧化硅(SiON)、磷硅玻璃(PSG)及 TEOS 氧化物。

特殊應(yīng)用:支持富氫氮化硅(H-R SiN)沉積,氫含量可達(dá) 15-20%,用于表面鈍化和應(yīng)力調(diào)節(jié)。

溫度控制

常規(guī)工藝溫度范圍:300-400℃,TEOS 氧化物沉積需 350℃。

高溫穩(wěn)定性:通過雙頻射頻技術(shù),可在 500℃退火后保持薄膜應(yīng)力<200MPa。

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