描述：

1. 檢測性能

顆粒靈敏度:可檢測低至 0.15 微米的顆粒(如乳膠球標準),適用于 14nm 及以下先進制程的關(guān)鍵工藝監(jiān)控。

空間分辨率:最小可區(qū)分 50 微米間距的顆粒,確保對密集缺陷的精準定位。

重復(fù)性誤差:顆粒計數(shù)重復(fù)性誤差小于 1.5%(1 標準偏差),在均值 500 個顆粒的測試條件下表現(xiàn)穩(wěn)定。

2. 晶圓兼容性

尺寸范圍:支持 4 英寸至 8 英寸的硅片、藍寶石、碳化硅(SiC)等多種基板類型,覆蓋主流半導體制造需求。

工藝適應(yīng)性:可處理未圖案化晶圓及復(fù)雜工藝后的圖案化晶圓(如刻蝕、薄膜沉積后),對高粗糙度和高深寬比結(jié)構(gòu)仍保持高靈敏度。

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